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存储芯片的涨价周期仍未走到拐点。集邦咨询 (TrendForce) 最新发布的 2026 年第四季度走势预测显示,DRAM 与 NAND 闪存的合约价将继续环比上行, 其中计入 HBM 后的整体 DRAM 以及 NAND 闪存, 涨幅都落在 15~20% 这一区间。
📌 一般 DRAM 与整体 DRAM 涨幅出现分层
这份预测中最值得留意的是口径差异: 不含 HBM 的一般 DRAM 合约价预计环比上涨 10~15%, 而把 HBM 计入后, 整体 DRAM 合约价的涨幅被推高到 15~20%。
这一差距本身就说明,高附加值的 HBM 正在明显拉高 DRAM 产品的平均单价, 也侧面印证了服务器与 AI 相关需求在存储市场中的权重。
🔍 DRAM: 先进产能向服务器集中, 消费端涨幅收敛
从供给侧看,上游原厂仍在把先进制程产能持续投向高性能服务器产品, 整体维持供应不足的格局。不过与前期相比, 合约价的涨势已有所放缓。
分产品看, 各条线的处境并不一致:
- 服务器 DRAM: 供不应求态势预计仍将延续;
- 移动 DRAM 与消费类 DRAM: 涨势不变, 但涨幅会有所收敛;
- PC DRAM: 机构认为其在 2027 年分得的产能恐怕会进一步下滑。
换句话说,DRAM 的紧张并不是均匀分布的——越靠近 AI 服务器的一端越紧, 越靠近个人终端的部分越可能被挤压。
💡 NAND:AI 加速与消费疲软同时存在
NAND 市场呈现出更明显的双轨特征。一边是 AI 需求加速, 另一边是消费性需求偏弱, 但价格依旧被整体行情带动上行,NAND 闪存整体合约价预计环比上涨 15~20%。
具体到细分市场,信号也并不统一: 客户端 SSD 的原厂报价态度转趋弹性, 涨幅受到抑制; 企业级 SSD 的整体涨幅则会在 2026 年第四季度扩大;eMMC、UFS 等嵌入式闪存的新增采购量相当有限; 下游模组企业对 NAND 闪存晶圆的采购也在渐趋保守。
📊 几个值得关注的看点
- 企业级与服务器先行: 企业级 SSD 与服务器 DRAM 的涨价动能强于消费端, 成本压力会先传导到数据中心与云厂商。
- 消费电子的传导更慢: 移动、消费类 DRAM 涨幅收敛, 客户端 SSD 报价转灵活, 短期内终端整机涨价的幅度可能相对温和。
- 模组厂的处境: 晶圆采购趋于保守, 意味着模组环节在成本与库存之间的腾挪空间正在变小。
🚀 观察与判断
把这份预测放在一起看,可以得出一个相对清晰的判断: 存储涨价的主线仍是 AI 服务器带来的结构性需求, 而不是消费市场的全面复苏。DRAM 端需要 HBM 才能撑起更高的整体涨幅,NAND 端则是企业级需求扩产、消费端需求偏弱的组合。
对下游而言,真正需要提前应对的并非“涨不涨”, 而是 产能分配的顺序。如果 PC DRAM 在 2027 年分到的产能继续收缩, 个人电脑与相关消费硬件的成本压力可能比服务器市场更晚、但更持久地显现出来。存储周期的这一轮上行, 大概率仍将由供给结构而非单纯的需求热度来决定节奏。
