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美光 HBM4 增产进展顺利,HBM4E 计划明年启动大规模生产
AI 服务器内存竞争正在进入新一轮节点。 美光科技披露 ,HBM4 产能扩大进展顺利, 下一代 HBM4E 标准产品预计明年启动量产。相比上一代 HBM3E, 美光此次更强调爬坡速度、良率改善以及生产策略调整。
📌 HBM4 量产爬坡明显快于上一代
美光全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚在投资者会议上表示,HBM4 的量产爬坡速度已达到去年 12 层 HBM3E 产品的约两倍, 良率提升也更快。公开信息显示,HBM4 主要面向英伟达 Vera Rubin AI 计算平台, 这使其放量节奏受到 AI 算力产业链关注。
从时间演进看, 美光在 HBM3 和 12 层 HBM3E 量产中积累的经验, 正在反映到 HBM4 阶段。此前更多是验证堆叠、封装和良率控制能力, 如今重点转向更快扩产和稳定交付。
🔍 提速原因集中在工艺与设计
美光将 HBM4 进展归因于三个方面: 既有量产经验带来的学习效应、核心裸片采用 10 纳米级第五代 1β 工艺, 以及内部优化的基础裸片设计。公司称,1β 已成为其主力工艺, 并在性能和良率上证明了稳定性。
- 经验积累:HBM3E 量产降低了新一代产品爬坡风险。
- 工艺成熟:1β DRAM 为 HBM4 核心裸片提供制造基础。
- 设计协同: 自主基础裸片有助于提升产品质量与性能。
💡 HBM4E 将切换到新工艺和新代工模式
进入 HBM4E 后, 美光的策略将出现关键变化 。其核心裸片计划采用 10 纳米级第六代 1γ 工艺, 该节点对应三星电子和 SK 海力士的第六代 10 纳米级 1c 工艺, 也是美光首次采用 ASML 极紫外光刻设备的工艺节点。
更明显的前后变化在基础裸片环节:HBM4 阶段由美光自行生产 ,HBM4E 则将改由台积电代工。美光称 HBM4E 开发进展顺利, 首批产品将采用 JEDEC 标准, 同时也在开发面向客户需求的定制版本。定制产品成本可能更高, 但美光认为性能和功能提升仍会带来需求。
📊 竞争对手也在推进 HBM4E
三星电子和 SK 海力士同样在布局 HBM4E。三星计划今年第二季度提供首批样品, 基础裸片将由三星晶圆代工部门采用与 HBM4 相同的 4 纳米工艺制造。SK 海力士计划今年下半年向客户提供样品, 并在明年开始量产, 其基础裸片未来仍由台积电负责, 据称将采用 3 纳米工艺。
HBM4E 的竞争不只在内存堆叠本身, 也延伸到先进逻辑工艺、代工协作和客户定制能力。
🚀 总结:HBM 供应链进入下一阶段
美光还预计, 到今年年中 , 基于 1γ 工艺生产的 DRAM 与第九代 NAND 闪存产品, 将占公司总位元出货量的一半以上, 其中 1γ DRAM 有望成为其晶圆产量规模最大的单一 DRAM 工艺节点。
整体来看, 美光正在从 HBM4 的快速扩产, 过渡到 HBM4E 的工艺升级与外部代工协同。HBM4E 将成为存储厂商争夺 AI 计算平台订单的重要产品线。
