据韩媒报道,三星电子位于西安的晶圆厂近期成功完成工艺升级,实现了236层堆叠的第八代V-NAND闪存量产。此举旨在提升产品性能与生产效率,满足AI时代对高性能存储的需求,并计划在2026年内向V9 NAND过渡。